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Si4914BDY
Vishay Siliconix
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
2.0
40
30
V GS = 10 V thr u 5 V
4 V
1.6
1.2
T C = 25 °C
20
10
3 V
0. 8
0.4
T C = 125 °C
0
0
T J = - 55 °C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.05
0.04
0.03
0.02
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
1000
8 00
600
400
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.01
0
V GS = 10 V
200
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 8 A
V DS = 10 V
1.5
I D = 7 A
V GS = 10 V
6
V DS = 15 V
1.3
4
2
0
V DS = 20 V
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V
0
3.2
6.4
9.6
12. 8
16.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 69654
S09-2109-Rev. E, 12-Oct-09
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